快盈IV

1. 产品概述

INN700DA140C 是一款尖端的 700V 增强型氮化镓功率晶体管，采用业界领先的 GaN-on-Si 技术精心打造。该器件封装在紧凑且散热性能优异的 DFN 5mm x 6mm 封装中，旨在突破传统硅基 MOSFET 的性能瓶颈，为现代电源转换系统带来革命性的效率和功率密度提升。INN700DA140C 是实现更小、更快、更冷、更高效电源设计的理想选择。

快盈IV1.1 核心特性与优势

快盈IV增强型晶体管 (Enhancement Mode) - 常闭型功率开关:

快盈IV优势: 提供固有的安全操作，栅极驱动逻辑与传统 MOSFET 类似，简化了设计导入和控制电路的实现。在 VGS=0V 时器件保持关断状态，防止意外导通。

极高的开关频率能力:

优势: GaN 技术固有的低寄生电容特性，使得 INN700DA140C 能够工作在远超硅器件的开关频率。这允许设计者使用体积更小、成本更低的电感和电容等无源元件，从而大幅缩小电源系统的整体尺寸、减轻重量并降低物料成本（BOM）。

快盈IV零反向恢复电荷 (Qrr = 0):

优势: GaN 晶体管无体二极管，因此没有反向恢复损耗。这显著降低了硬开关应用（如 CCM 图腾柱 PFC）中的开关损耗，极大地提升了系统效率，减少了散热需求。

快盈IV低栅极电荷 (Qg) 与低输出电荷 (Qoss):

优势: 更低的 Qg 意味着驱动损耗显著降低，尤其在高频工作时。更低的 Qoss 减少了开关转换期间的损耗，进一步提升效率，并支持更快的开关瞬态，改善动态响应。

符合 JEDEC 标准的工业应用资格:

优势: 通过了严格的 JEDEC 认证测试，确保器件在严苛的工业环境和要求长期可靠运行的应用中具有出色的稳定性和耐用性。

集成 ESD 保护:

快盈IV优势: 增强了器件在处理、制造和组装过程中的抗静电放电能力，提高了生产良率和系统的整体可靠性。

快盈IV符合 RoHS、无铅 (Pb-free)、REACH 等认证:

快盈IV优势: 满足全球主流环保法规要求，确保产品符合绿色环保标准，便于产品在全球市场的推广和应用。

1.2 重点应用市场

快盈IVINN700DA140C 的卓越性能使其成为众多前沿电源转换应用的理想解决方案，特别是在追求高效率、高功率密度和快速动态响应的场合：

AC-DC 转换器:

应用场景: 高效电源适配器、服务器电源、通信设备电源、工业电源。

快盈IV优势: 实现更高效率（如满足 80 Plus 钛金标准），显著减小适配器/电源的体积和重量。

DC-DC 转换器:

应用场景: 隔离和非隔离的 Buck、Boost、LLC 等拓扑，用于数据中心、通信基站、电动汽车车载充电器 (OBC) 内的辅助电源。

优势: 提升转换效率，提高功率密度，降低散热压力。

快盈IV图腾柱 PFC (Totem-Pole PFC):

应用场景: 无桥 PFC 电路设计，特别是在需要 >99% 效率的高性能电源中。

快盈IV优势: GaN 的零 Qrr 特性是实现高效连续导通模式 (CCM) 图腾柱 PFC 的关键，可大幅简化电路、减少元件数量并超越传统 PFC 方案的效率极限。

快速充电 (Fast Charging):

应用场景: USB-PD 充电器、笔记本电脑适配器、智能手机快充头。

优势: 支持更高的开关频率，使充电器设计得极为小巧便携，同时保持高效率和低发热。

高密度功率转换:

应用场景: 任何对尺寸和重量有严格要求的电源模块、嵌入式系统电源、便携式设备。

优势: 利用高频特性大幅缩小磁性元件和电容体积，实现前所未有的功率密度。

高频率功率转换:

应用场景: 射频电源、无线充电、高端音频放大器等需要极高开关速度的应用。

优势: 充分发挥 GaN 的高速开关潜能，满足特定应用对频率和性能的极端要求。

快盈IVINN700DA140C 不仅仅是一款功率晶体管，它是通往下一代电源解决方案的关键技术。凭借其在效率、频率、功率密度方面的显著优势，结合工业级的可靠性和环保合规性，它将助力工程师开发出更具竞争力、性能更卓越的电力电子产品。

INN700DA140C_Datasheet_Rev 1.0.pdf