英飞凌采用测量方法进行 GaN 和 SiC 开发

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英飞凌快盈IV科技致力于通过实施针对功率半导体和宽带隙 (WBG) 半导体（包括碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)）的测量策略来保持其在功率半导体行业的领先地位。

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快盈IV英飞凌采取了谨慎的方式来发展氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术。通过在多个领域投资数十亿欧元，包括收购GaN Systems等，英飞凌致力于在半导体行业取得突破性进展。

该公司在整合硅、碳化硅和氮化镓等三种半导体材料方面积累了专业知识，以确保其开发和推出的新型电源解决方案在AI数据中心和其他领域具有竞争优势。

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